Processo Scaroni ed altri (presunte tangenti pagate da ENI in Nigeria) ()

Craford Trading Limited, Archivio della democrazia

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    L'elettroluminescenza come fenomeno è stata scoperta nel dal esperto britannico HJ Round di Marconi Labsutilizzando un cristallo di carburo di silicio e un rivelatore di gatto-whisker. Kurt LehovecCarl Accardo e Edward Jamgochian hanno spiegato questi primi diodi emettitori nel utilizzando un apparecchio che impiega cristalli SiC con una sorgente di batteria o generatore di impulsi e con un confronto con una variante pura, cristallina Nel Come è stato osservato da Kroemer [20] Braunstein " La luce emessa è stata rilevata da un diodo PbS Questo segnale è stato alimentato in un amplificatore audio e riprodotto da un altoparlante, intercettando il fascio ha interrotto la musica e abbiamo avuto molto divertimento a giocare con questa installazione ".

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    Questa configurazione presagiva l'uso di LED per applicazioni di comunicazione ottica. Biard e Gary Pittman hanno scoperto emissioni di luce quasi a infrarossi nm Craford Trading Limited un diodo a tunnel che avevano costruito su un substrato GaAs.

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    George Crafordun ex studente di Holonyak, ha inventato il primo LED giallo e migliorato la luminosità del rosso e LED di colore rosso-arancione per un fattore di dieci nel Questi led rossi erano abbastanza luminosi solo per essere utilizzati come indicatori, poiché l'uscita della luce non era sufficiente per illuminare un'area.

    Più tardi, altri colori divennero ampiamente disponibili e apparsi in apparecchi e attrezzature. Negli anni '70, i dispositivi LED a meno di cinque centesimi sono stati prodotti da Fairchild Optoelectronics.

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    Questi dispositivi impiegavano composti chip semiconduttori fabbricati con il processo planare inventato dal Dr. Jean Hoerni presso Fairchild Semiconductor. Nakamura, Akasaki e Amano hanno ricevuto il premio Nobel per la fisica per il loro lavoro.

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    Nel [41] e nel [42] sono stati dimostrati con successo i processi per la crescita del LED di nitruro di gallio GaN sul silicio.